检测电流，特别是在较高电压设置中，通常是一个挑战。它通常比电压检测更困难，因为它通常是“侵入性的”并且需要“断开”载流导体。检测电阻通常在高端和差分放大器是标准解决方案，但通常存在电流欧姆隔离问题，这是系统性能和监管标准所必需的。

　　为了解决这一难题，德州仪器推出了TMCS1123电隔离霍尔效应电流传感器。它为高压系统提供了设计简单性和准确性，据称是业界最精确的此类设备。

　　该电子元器件还具有 TI 所说的业界最高的增强型隔离度以及在整个使用寿命和温度范围内最高精度的规格霍尔效应传感器的传统缺点是其在整个使用寿命期间的高漂移。应用包括太阳能装置、电机控制、电动汽车充电、电源和工业交流-直流装置。用户可以使用外部电阻设置过流阈值警报值，过流状况由开漏低电平有效输出指示。

　　在 TMCS1123 中，输出电压与输入电流成正比，在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移有五个此类后缀选项，范围为 25 至 150 mV/A。具有内置漂移补偿功能的精密信号调理电路可在不进行系统级校准的情况下，在整个温度和使用寿命内提供最大总误差低于 1.75%，或者通过一次性室温校准包括使用寿命和使用寿命，最大总误差低于 1%。温度漂移。

　　在操作中，要感测的双向交流或单向直流输入电流流经内部导体，产生由集成片上霍尔效应传感器测量的磁场。输入电流通过封装引线框架的隔离高压侧，然后进出 IN+ 和 IN– 引脚。流经封装的电流会产生与输入电流成正比的磁场，该磁场由集成片上电隔离精密霍尔传感器测量。

　　由于霍尔传感器芯片上的静电屏蔽，只能测量输入电流产生的磁场，从而限制输入电压切换穿过电路。这种配置允许直接测量高压瞬变电流，电流传感器输出不会出现信号失真。无芯结构无需磁集中器，而差分霍尔传感器可抑制杂散外部磁场的干扰。

　　低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96 A，同时最大限度地降低功率损耗并放宽散热要求。该绝缘层能够承受 5000 V RMS 电压，并且与最小 8.1 mm 的爬电距离和电气间隙相结合，可提供高达 1100 V DC的可靠寿命增强工作电压。TI 预计该器件将获得安全相关认证，包括 UL 1577 组件认可计划和 IEC/CB 62368-1。

　　集成屏蔽可实现出色的共模抑制和瞬态抗扰度。它还具有 ±0.75% 的最大灵敏度误差，温度漂移为 50 ppm/°C，使用寿命漂移为 ±0.5%。600 ns 的低传播延迟和 250 kHz 的带宽可实现更快的控制环路，同时保持低噪声，有助于提高系统效率。

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